[July 03, 2026]

Kioxia inicia los envíos de muestra de dispositivos BiCS FLASH™ de décima generación con alto rendimiento, alta capacidad y bajo consumo de energía

Kioxia Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, anunció hoy que ha comenzado los envíos de muestra de dispositivos de memoria de celda de triple nivel (TLC) de 1 Tb (terabit) que utilizan su tecnología de memoria flash 3D BiCS FLASH™ de décima generación.¹ Estos productos se integrarán principalmente en las unidades SSD empresariales y para centros de datos de la compañía, reforzando así la gama de Kioxia para satisfacer la creciente demanda de almacenamiento para IA, que requiere mayor rendimiento, mayor capacidad y menor consumo energético. Estos nuevos productos se fabricarán con equipos de última generación en la planta Fab2 de Kioxia en Kitakami, prefectura de Iwate, Japón.

Aprovechando la innovadora tecnología CMOS de unión directa a la matriz (CBA)² y la tecnología On-Pitch Select Gate Drain (OPS),³ ambas adoptadas desde la octava generación de BiCS FLASH™, la tecnología de décima generación alcanza una velocidad de interfaz NAND de 4,8 Gb/s,⁴ una mejora del 33 % con respecto a la octava generación. La densidad de bits ha aumentado en un 59 % apilando 332 capas y mejorando la densidad lateral. Además, la eficiencia energética de escritura y lectura ha mejorado en un 18 % y un 30 %, respectivamente,⁵ contribuyendo a reducir el consumo de energía en centros de datos e infraestructura empresarial.

Gracias a su singular estrategia de doble eje, Kioxia está impulsando simultáneamente dos líneas de productos distintas: sus soluciones de novena generación, que ofrecen un alto rendimiento con un costo de inversión relativamente bajo, y su tecnología de décima generación, que aprovecha el apilamiento avanzado de capas para lograr una capacidad masiva y un rendimiento superior.

Guiada por su misión de "mejrar el mundo con la memoria", Kioxia mantiene su compromiso de impulsar la innovación tecnológica, fortalecer las alianzas globales y ofrecer las soluciones de almacenamiento avanzadas que impulsen la infraestructura de IA moderna.

1. Estas muestras tienen como finalidad la verificación del funcionamiento, y las especificaciones de las muestras pueden variar en la producción en masa.
2. Tecnología en la que cada oblea CMOS y cada oblea de matriz de celdas se fabrican por separado en sus condiciones optimizadas y luego se unen entre sí.
3. Tecnología que permite acortar la línea de bits y reducir la capacitancia de la línea de palabras eliminando los huecos de memoria no utilizados.
4. 1 Gb/s se calcula como 1000 000 000 bits/segundo. Este valor se obtiene en un entorno de prueba específico de Kioxia Corporation y puede variar según las condiciones de uso.
5. También se incluyó la eficiencia energética durante la transferencia de datos.

Notas:

• La densidad del producto se define según la densidad de los chips de memoria que contiene, no según la capacidad de memoria disponible para el almacenamiento de datos por parte del usuario final. La capacidad útil para el consumidor será menor debido a las áreas de datos adicionales, el formato, los bloques defectuosos y otras limitaciones, y también puede variar según el dispositivo anfitrión y la aplicación. Para obtener más información, consulte las especificaciones del producto. 1 Gb = 2^30 bits = 1073 741 824 bits.
• Las velocidades de lectura y escritura son los mejores valores obtenidos en un entorno de prueba específico en Kioxia Corporation; la empresa no garantiza velocidades de lectura ni de escritura en dispositivos individuales. Las velocidades de lectura y escritura pueden variar según el dispositivo utilizado.
• Los nombres de empresas, productos y servicios pueden ser marcas comerciales de sus respectivas compañías.
  

• Este anuncio se ha preparado para proporcionar información sobre nuestro negocio y no constituye ni forma parte de una oferta o invitación para vender ni una solicitud de oferta para comprar o suscribir o adquirir de otro modo valores en ninguna jurisdicción ni un incentivo para participar en actividades de inversión, ni constituirá la base de ningún contrato ni se tomará en cuenta en relación con el mismo.
• La información contenida en este documento, incluidos los precios y las especificaciones de los productos, el contenido de los servicios y la información de contacto, es correcta a la fecha de su publicación y está sujeta a cambios sin previo aviso.

Acerca de Kioxia

Kioxia es líder mundial en soluciones de memoria, dedicada al desarrollo, producción y venta de memorias flash y unidades de estado sólido (SSD). En abril de 2017, su predecesora Toshiba Memory se escindió de Toshiba Corporation, la empresa que inventó la memoria flash NAND en 1987. Kioxia se compromete a mejorar el mundo con "memoria" ofreciendo productos, servicios y sistemas que generen opciones para los clientes y valor basado en la memoria para la sociedad. La innovadora tecnología de memoria flash 3D de Kioxia, BiCS FLASH™, está dando forma al futuro del almacenamiento en aplicaciones de alta densidad, incluidos teléfonos inteligentes avanzados, PC, sistemas automotrices, centros de datos y sistemas de inteligencia artificial generativa.

El texto original en el idioma fuente de este comunicado es la versión oficial autorizada. Las traducciones solo se suministran como adaptación y deben cotejarse con el texto en el idioma fuente, que es la única versión del texto que tendrá un efecto legal.

Vea la versión original en businesswire.com: https://www.businesswire.com/news/home/20260702445176/es/

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